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設計與製作參數範圍

特性

設計

製作

波長範圍

無限制

UVIR

零階比率

(零階光強/入射光強)

可達 < 10-6

< 0.5%

(有更高需求者可洽商)

最小cell尺寸

無限制

0.2um

相位階數

無限制

232

2階適用於對稱圖案或離軸設計)

每一單元cell

可達15,000 x 15,000

(有更高需求者可洽商)

無限制

圖案最大傾斜角

> 75

(視應用場合而定)

DOE最大面積

NA

120 x 120mm

無接縫,適用遠場設計

基材

NA

PCPETPMMAPS、玻璃、…

 

 

獨特的設計技術

本公司擁有兼具FFT和非FFTDOE設計演算法,除了一般的遠場設計、近場設計、on-axis設計、off-axis設計之外,更具有眾多優異的獨特功能,可配合各種特殊需求做最佳化設計。

 

以下是本公司獨特的 DOE 設計能力:

傾斜面投影之全面對焦(All on focus)

一般演算法做近場設計,可以讓投射影像聚焦,但其聚焦面需平行於 DOE 平面。

本公司的演算法可以讓投射影像在任意角度的傾斜面上聚焦,對斜向投射的應用而言,可以獲得最清晰完整的投射圖案。

任意曲面完全聚焦(All on focus)

一般演算法近場設計之聚焦面均為平面。

本公司的演算法不只可以在傾斜平面上全面聚焦,更可以在任意曲面上的每一點都完全聚焦,可在弧面上投射出最清晰完整的影像,也可在空中投影 3D 影像

投影Keystone自動修正

斜向投影會產生 Keystone 像差,一般DOE演算法無法修正,需人工做預像植像差(Pre-distortion)補償。

本公司的演算法可以自動進行斜向投影的 keystone 修正,避免人工預植像差可能造成的誤差。

繞射像差(Diffraction distortion)自動修正

繞射點的位置有自然的非線性像差,角度越大像差越大。

本公司演算法可自動修正圖形的繞射像差,不管設計任何圖案,都不會因繞射像差產生變形。

兼具近場與遠場之設計

一般演算法可做近場設計也可做遠場設計,但無法同時存在於同一片 DOE 中。

本公司的演算法則可突破此限制,可在一片 DOE 中同時設計投射出遠場和近場圖案。

不同深度多平面設計

一般演算法,不管是近場設計或遠場設計, 通常只有一個與DOE面平行的平面。

本公司的演算法則可在一片 DOE 中同時投射出多個具有不同深度的平面圖案,而且平面不限制需平行於DOE面,每一個平面都可具有任意角度。

雷射光束傾斜入射DOE

一般雷射光束通常是垂直入射 DOE,本公司設計不受此限制,雷射光束可設計成從任何傾斜角度入射 DOE,提供使用 DOE 之光機系統設計更大的彈性。

非固定Cell size

一般 DOE 設計演算法之 cell size 是固定的,整個 DOE 都必須一致。本公司演算法也可以突破此限制,在 XY 兩方向的 cell size 都可以是非固定的。

這特別的技術可以降低因週期性結構產生的週期性雜訊,提高DOE的投影品質。

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